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NTMFS6H836NLT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTMFS6H836NLT1G
   Código: 6H836L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 89 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 77 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
   Carga de la puerta (Qg): 34 nC
   Tiempo de subida (tr): 125 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 250 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0062 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5

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NTMFS6H836NLT1G Datasheet (PDF)

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NTMFS6H836NLT1G
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MOSFET - Power, SingleN-Channel80 V, 6.2 mW, 77 ANTMFS6H836NLFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant6.2 mW @ 10 V80 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise not

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NTMFS6H836NLT1G
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MOSFET - Power, SingleN-Channel80 V, 6.2 mW, 77 ANTMFS6H836NLFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant6.2 mW @ 10 V80 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise not

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NTMFS6H836NLT1G
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MOSFET - Power, SingleN-Channel80 V, 6.7 mW, 80 ANTMFS6H836NFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX80 V 6.7 mW @ 10 V 80 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise

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