NTTFS4C05NTAG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTTFS4C05NTAG  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1224 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm

Encapsulados: WDFN8

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de NTTFS4C05NTAG MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

NTTFS4C05NTAG datasheet

 ..1. Size:121K  1
 nttfs4c05ntag.pdf pdf_icon

NTTFS4C05NTAG

 4.1. Size:112K  onsemi
 nttfs4c05n.pdf pdf_icon

NTTFS4C05NTAG

NTTFS4C05N Power MOSFET 30 V, 75 A, Single N-Channel, m8FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses http //onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Applications 3.6 mW @ 10 V DC-DC Converters

 6.1. Size:119K  onsemi
 nttfs4c06n.pdf pdf_icon

NTTFS4C05NTAG

NTTFS4C06N Power MOSFET 30 V, 67 A, Single N-Channel, m8FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Compliant 4.2 mW @ 10 V Applications 30 V 67 A 6.1 mW @

 6.2. Size:206K  onsemi
 nttfs4c02n.pdf pdf_icon

NTTFS4C05NTAG

NTTFS4C02N MOSFET Power, Single, N-Channel, m8FL 30 V, 170 A Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 2.25 mW @ 10 V 30 V 170 A Applications 3.1

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... NTMFS6B05NT1G, NTMFS6B05NT3G, NTMFS6B14NT3G, NTMFS6H801NT1G, NTMFS6H818NLT1G, NTMFS6H836NLT1G, NTMFS6H848NLT1G, NTMFS6H852NLT1G, IRFP260N, NTTFS4C10NTAG, NTTFS4C25NTAG, NTTFS5C454NLTAG, NVMFD024N06CT1G, NVMFD5483NLT1G, NVMFD5485NLT1G, PE5E4BA, PK6A4BA