NTTFS4C25NTAG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTTFS4C25NTAG 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 295 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
Encapsulados: WDFN8
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NTTFS4C25NTAG datasheet
nttfs4c25ntag.pdf
NTTFS4C25N Power MOSFET 30 V, 27 A, Single N-Channel, m8FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses http //onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Applications 17 mW @ 10 V DC-DC Converters
nttfs4c25n.pdf
NTTFS4C25N Power MOSFET 30 V, 27 A, Single N-Channel, m8FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses http //onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Applications 17 mW @ 10 V DC-DC Converters
nttfs4c10ntag.pdf
NTTFS4C10N Power MOSFET 30 V, 44 A, Single N-Channel, m8FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses www.onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Compliant 7.4 mW @ 10 V Applications 30 V 44 A 11 mW @ 4.5
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: IXFH12N90P
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Liste
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