NTTFS5C454NLTAG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTTFS5C454NLTAG
   Código: 454L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 55 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 85 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
   Carga de la puerta (Qg): 18 nC
   Tiempo de subida (tr): 100 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 590 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0038 Ohm
   Paquete / Cubierta: WDFN8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTTFS5C454NLTAG

NTTFS5C454NLTAG Datasheet (PDF)

0.1. Size:76K 1
nttfs5c454nltag.pdf

NTTFS5C454NLPower MOSFET40 V, 3.8 mW, 85 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX3.8 mW @ 10 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C

2.1. Size:76K onsemi
nttfs5c454nl.pdf

5.1. Size:144K onsemi
nttfs5c453nl.pdf

NTTFS5C453NLPower MOSFET40 V, 3 mW, 107 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (3.3x3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX3 mW @ 10 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unle

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: