STS65R190TS2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STS65R190TS2
Código: 65R190TS2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 169 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 33 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STS65R190TS2
STS65R190TS2 Datasheet (PDF)
sts65r190fs2 sts65r190l8as2tr sts65r190ts2 sts65r190ss2 sts65r190ss2tr.pdf
STS65R190F(L8A)(T)(S)S2 20A650V MOS 2STS65R190F(L8A)(T)(S)S2 N MOSFET MOS 1 STS65R190F(L8A)(T)(S)S2
sts65r280ds2tr sts65r280fs2.pdf
STS65R280D(F)S2 14A650V MOS 2STS65R280D(F)S2 N MOSFET MOS 1 STS65R280D(F)S2 /3
sts65r580ds2tr sts65r580fs2 sts65r580ss2 sts65r580ss2tr sts65r580mjs2.pdf
STS65R580D(F)(S)(MJ)S2 8A, 650V MOS 2STS65R580D(F)(S)(MJ)S2 N MOSFET MOS 1 13STS65R580D(F)(S)(MJ)S2
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Liste
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