STS65R580SS2 Todos los transistores

 

STS65R580SS2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STS65R580SS2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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STS65R580SS2 Datasheet (PDF)

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STS65R580SS2

STS65R580D(F)(S)(MJ)S2 8A, 650V MOS 2STS65R580D(F)(S)(MJ)S2 N MOSFET MOS 1 13STS65R580D(F)(S)(MJ)S2

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STS65R580SS2

STS65R280D(F)S2 14A650V MOS 2STS65R280D(F)S2 N MOSFET MOS 1 STS65R280D(F)S2 /3

 8.2. Size:553K  silan
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STS65R580SS2

STS65R190F(L8A)(T)(S)S2 20A650V MOS 2STS65R190F(L8A)(T)(S)S2 N MOSFET MOS 1 STS65R190F(L8A)(T)(S)S2

Otros transistores... STS65R190SS2 , STS65R190SS2TR , STS65R190TS2 , STS65R280DS2TR , STS65R280FS2 , STS65R580DS2TR , STS65R580FS2 , STS65R580MJS2 , 5N60 , STS65R580SS2TR , SVD1055SA , SVD3205STR , SVD540DTR , SVD540F , SVD640DTR , SVD640S , SVD640STR .

History: IXTH1R8N220P3HV | R6007ENX | SI4542DY

 

 
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