SVDP2353PL3A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVDP2353PL3A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN8-3.3X3.3
Búsqueda de reemplazo de SVDP2353PL3A MOSFET
SVDP2353PL3A Datasheet (PDF)
svdp2353pl3a.pdf

SVDP2353PL3A -3A-150V P SVDP2353PL3A P MOS S D18 VDMOS S D2 7DS 3 6
Otros transistores... STS65R580SS2TR , SVD1055SA , SVD3205STR , SVD540DTR , SVD540F , SVD640DTR , SVD640S , SVD640STR , RFP50N06 , SVDZ24NDTR , SVF10N60CAFJ , SVF10N60CFJ , SVF10N60STR , SVF10N65CA , SVF10N65CF , SVF10N65CFJH , SVF10N65CK .
History: KHB7D0N80F1 | MS23P21 | FDMA8878 | IRF9640L | SHD239409 | IXFB120N50P2 | HFS8N65S
History: KHB7D0N80F1 | MS23P21 | FDMA8878 | IRF9640L | SHD239409 | IXFB120N50P2 | HFS8N65S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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