SVDZ24NDTR Todos los transistores

 

SVDZ24NDTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVDZ24NDTR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 32.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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SVDZ24NDTR Datasheet (PDF)

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SVDZ24NDTR
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SVDZ24NT(D) 17A55V N 2SVDZ24NT N MOS VDMOS 1

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SVDZ24NDTR
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SVDZ24NT 17A55V N 2SVDZ24NT N MOS VDMOS 1

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