SVF10N65STR Todos los transistores

 

SVF10N65STR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF10N65STR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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SVF10N65STR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:403K  silan
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SVF10N65STR

SVF10N65T/F/K/S 10A650V N 2SVF10N65T/F/K/S N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 6.1. Size:601K  1
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SVF10N65STR

SVF10N65T/F_Datasheet 10A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF10N65T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switch

 6.2. Size:290K  silan
 svf10n65cfj.pdf pdf_icon

SVF10N65STR

SVF10N65CFJ_Datasheet 10A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF10N65CFJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand

 6.3. Size:361K  silan
 svf10n65cf svf10n65ck svf10n65cfjh.pdf pdf_icon

SVF10N65STR

SVF10N65CF/K/FJH 10A650V N 2SVF10N65CF/K/FJH N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.

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History: BSO200P03S | NP82N055NHE | TT8K11

 

 
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