SVF10N65STR MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SVF10N65STR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF10N65STR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO263

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SVF10N65STR datasheet

..1. Size:403K silan
svf10n65t svf10n65f svf10n65k svf10n65s svf10n65str.pdf pdf_icon

SVF10N65T/F/K/S 10A 650V N 2 SVF10N65T/F/K/S N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

6.1. Size:601K 1
svf10n65f svf10n65t.pdf pdf_icon

SVF10N65T/F_Datasheet 10A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF10N65T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switch

6.2. Size:290K silan
svf10n65cfj.pdf pdf_icon

SVF10N65CFJ_Datasheet 10A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF10N65CFJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand

6.3. Size:361K silan
svf10n65cf svf10n65ck svf10n65cfjh.pdf pdf_icon

SVF10N65CF/K/FJH 10A 650V N 2 SVF10N65CF/K/FJH N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1. 2.

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History: SVF12N60CFJ

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