SVF12N60CFJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF12N60CFJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 51 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 152 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de SVF12N60CFJ MOSFET
SVF12N60CFJ Datasheet (PDF)
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SVF12N60F/S/K 12A600V N 2SVF12N60F/S/K N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3
svf12n60t svf12n60f svf12n60s svf12n60k.pdf

SVF12N60T/F/S/K 12A600V N SVF12N60T/F/S/K N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC
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History: DMN65D8LW | MSK50N03DF | QM6016P | SE85130GA | HCS90R800S | 2SK2563 | IPC100N04S5-1R2
History: DMN65D8LW | MSK50N03DF | QM6016P | SE85130GA | HCS90R800S | 2SK2563 | IPC100N04S5-1R2



Liste
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