SVF12N65S MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SVF12N65S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF12N65S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 156 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO263

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

SVF12N65S datasheet

..1. Size:394K silan
svf12n65f svf12n65k svf12n65s svf12n65str.pdf pdf_icon

6.1. Size:586K 1
svf12n65f svf12n65t.pdf pdf_icon

SVF12N65T/F_Datasheet 12A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF12N65T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switch

6.2. Size:489K silan
svf12n65cf svf12n65ck svf12n65cs svf12n65ckl svf12n65cfq.pdf pdf_icon