SVF20N50PN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF20N50PN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 252 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 47.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 355 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de SVF20N50PN MOSFET
SVF20N50PN Datasheet (PDF)
svf20n50f svf20n50pn.pdf

SVF20N50F/PN 20A500V N 2SVF20N50F/PN N MOS F-CellTM VDMOS 13
svf20n60f svf20n60pn.pdf

SVF20N60F/PN 20A600V N SVF20N60F/PN N MOS F-CellTM VDMOS
Otros transistores... SVF13N50AF , SVF13N50CFJ , SVF13N50S , SVF13N50STR , SVF14N25CD , SVF18N65EFJH , SVF18NE50PN , SVF20N50F , CS150N03A8 , SVF20NE50PN , SVF25NE50PN , SVF2N60RDTR , SVF31N30CS , SVF31N30CSTR , SVF3878AP7 , SVF3878P7 , SVF3N65VFJ .
History: 9N90L-T3P-T | AFP4435WS | APQ13SN50AH | WMS048NV6HG4 | P1004BS | NTD20N06-1G | 2SK3676-01L
History: 9N90L-T3P-T | AFP4435WS | APQ13SN50AH | WMS048NV6HG4 | P1004BS | NTD20N06-1G | 2SK3676-01L



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
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