SVF20N50PN Todos los transistores

 

SVF20N50PN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF20N50PN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 252 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 47.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 355 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P

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SVF20N50PN Datasheet (PDF)

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SVF20N50PN

SVF20N50F/PN 20A 500V N 2 SVF20N50F/PN N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

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SVF20N50PN

SVF20N60F 20A 600V N 2 SVF20N60F N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1

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SVF20N50PN

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SVF20N50PN

SVF20N60F/PN 20A 600V N SVF20N60F/PN N MOS F-CellTM VDMOS

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