SVF4N65CF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF4N65CF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm

Encapsulados: TO220F

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SVF4N65CF datasheet

 ..1. Size:401K  silan
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SVF4N65CF

 6.1. Size:314K  silan
 svf4n65caf svf4n65cad svf4n65cam svf4n65camj.pdf pdf_icon

SVF4N65CF

 6.2. Size:752K  silan
 svf4n65caf svf4n65cad svf4n65cam svf4n65camj svf4n65camn svf4n65cak.pdf pdf_icon

SVF4N65CF

SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 4A 650V N 2 SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 1. 2. 3

 6.3. Size:466K  silan
 svf4n65caf svf4n65cadtr svf4n65cam svf4n65camj svf4n65camn svf4n65cak.pdf pdf_icon

SVF4N65CF

SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 4A 650V N 2 SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1.

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