SVF7N80K Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF7N80K 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 104 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
Encapsulados: TO262
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de SVF7N80K MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SVF7N80K datasheet
svf7n80t svf7n80f.pdf
SVF7N80T/F 7A 800V N 2 SVF7N80T/F N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 AC-DC
Otros transistores... SVF740CT, SVF7N60CDTR, SVF7N60CSTR, SVF7N65CDTR, SVF7N65CFJH, SVF7N65CMJL, SVF7N65STR, SVF7N80FD, IRFP260N, SVF7N80KL, SVF8N65RDTR, SVF8N65RMJ, SVF8N70F, SVF8N70FJH, SVF8N70K, SVF8NN70FJ, SVF9N90F
History: IXFV26N60P
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972
