SVFP7N65CMJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVFP7N65CMJ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 98 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO251

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de SVFP7N65CMJ MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SVFP7N65CMJ datasheet

 ..1. Size:322K  silan
 svfp7n65cdtr svfp7n65cmj.pdf pdf_icon

SVFP7N65CMJ

 7.1. Size:321K  silan
 svfp7n60cfjd.pdf pdf_icon

SVFP7N65CMJ

 8.1. Size:388K  silan
 svfp7n70mj svfp7n70dtr.pdf pdf_icon

SVFP7N65CMJ

SVFP7N70MJ(D) 7A 700V N 2 SVFP7N70MJ(D) N MOS F-CellTM VDMOS . 1 3

Otros transistores... SVFP14N60CFJ, SVFP14N60CFJD, SVFP14N65CFJD, SVFP18N60FJD, SVFP4N60CADTR, SVFP4N60CAMJ, SVFP7N60CFJD, SVFP7N65CDTR, IRLB4132, SVFP7N70DTR, SVFP7N70MJ, SVG031R1NL5, SVG032R4NL3, SVG032R4NL5, SVG036R3NL3, SVG036R5NL2, SVG036R8NL5