SVFP7N70DTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVFP7N70DTR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 236 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de SVFP7N70DTR MOSFET
SVFP7N70DTR Datasheet (PDF)
svfp7n70mj svfp7n70dtr.pdf

SVFP7N70MJ(D) 7A700V N 2SVFP7N70MJ(D) N MOS F-CellTM VDMOS .1 3
svfp7n65cdtr svfp7n65cmj.pdf

SVFP7N65CD(MJ) 7A650V N 2SVFP7N65CD/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
Otros transistores... SVFP14N60CFJD , SVFP14N65CFJD , SVFP18N60FJD , SVFP4N60CADTR , SVFP4N60CAMJ , SVFP7N60CFJD , SVFP7N65CDTR , SVFP7N65CMJ , IRFP260 , SVFP7N70MJ , SVG031R1NL5 , SVG032R4NL3 , SVG032R4NL5 , SVG036R3NL3 , SVG036R5NL2 , SVG036R8NL5 , SVG041R2NL5 .
History: SVFP7N65CMJ | IPU33CN10N | IPB026N06N | FDS6614A
History: SVFP7N65CMJ | IPU33CN10N | IPB026N06N | FDS6614A



Liste
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