SVG042R1NL5 Todos los transistores

 

 

SVG042R1NL5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVG042R1NL5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 129 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 928 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN8-5X6
 

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SVG042R1NL5 Datasheet (PDF)

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SVG042R1NL5

SVG042R1NL5 129A40V N S D1SVG042R1NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6

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SVG042R1NL5

SVG042R5NL5 108A40V N S D1SVG042R5NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6

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SVG042R1NL5

SVG041R4NL5 160A40V N S D1SVG041R4NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6

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SVG042R1NL5

SVG041R7NL5 144A40V N S D1SVG041R7NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6

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