SVG076R5NT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG076R5NT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 479 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de SVG076R5NT MOSFET
SVG076R5NT Datasheet (PDF)
svg076r5nt svg076r5ns svg076r5nstr svg076r5ndtr svg076r5nkl.pdf

SVG076R5NT(S)(D)(KL) 100A70V N 2SVG076R5NT(S)(D)(KL) N MOS 1 LVMOS 3
Otros transistores... SVG069R5NDTR , SVG069R5NMJ , SVG069R5NT , SVG075R5NT , SVG076R5NDTR , SVG076R5NKL , SVG076R5NS , SVG076R5NSTR , IRFP250 , SVG083R4NP7 , SVG083R4NS , SVG083R4NSTR , SVG083R4NT , SVG083R6NAL5 , SVG085R9NT , SVG086R0NDTR , SVG086R0NL5TR .
History: HMS18N80F | SL2301S | DMS3014SSS | SWN7N65M | SI8466EDB | TSM2NB60CZ | HMS18N10D
History: HMS18N80F | SL2301S | DMS3014SSS | SWN7N65M | SI8466EDB | TSM2NB60CZ | HMS18N10D



Liste
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