SVG086R0NL5TR Todos los transistores

 

SVG086R0NL5TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVG086R0NL5TR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 109 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN8-5X6
 

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SVG086R0NL5TR Datasheet (PDF)

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SVG086R0NL5TR

SVG086R0NT(S)(D)(L5) 120A80V N 2S D1 8SVG086R0NT(S)(D)(L5) N MOS S 2 7 D1 LVMOS DS 3 6G 4 5 D 3

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SVG086R0NL5TR

SVG086R5NT 120A85V N 2SVG086R5NT N MOS LVMOS 1 3

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SVG086R0NL5TR

SVG085R9NT 100A80V N 2SVG085R9NT N MOS LVMOS 1 3

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SVG086R0NL5TR

SVG087R0NT 95A80V N 2SVG087R0NT N MOS LVMOS 1 3

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History: APM4548K | SVF7N60D | MDS1651URH

 

 
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