SVG086R0NL5TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG086R0NL5TR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 109 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN8-5X6
Búsqueda de reemplazo de SVG086R0NL5TR MOSFET
SVG086R0NL5TR Datasheet (PDF)
svg086r0nt svg086r0ns svg086r0nstr svg086r0ndtr svg086r0nl5tr.pdf

SVG086R0NT(S)(D)(L5) 120A80V N 2S D1 8SVG086R0NT(S)(D)(L5) N MOS S 2 7 D1 LVMOS DS 3 6G 4 5 D 3
Otros transistores... SVG076R5NT , SVG083R4NP7 , SVG083R4NS , SVG083R4NSTR , SVG083R4NT , SVG083R6NAL5 , SVG085R9NT , SVG086R0NDTR , RU6888R , SVG086R0NS , SVG086R0NSTR , SVG086R0NT , SVG086R5NT , SVG087R0NT , SVG094R1NKL , SVG094R1NS , SVG094R1NSTR .
History: IRF630NL | IXFH30N60Q | STB40NS15T4 | IPB14N03LA | HN75N09AP | SWN4N80K | IPB45N06S3-16
History: IRF630NL | IXFH30N60Q | STB40NS15T4 | IPB14N03LA | HN75N09AP | SWN4N80K | IPB45N06S3-16



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
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