SVG086R5NT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG086R5NT 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 165 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 85 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 802 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Encapsulados: TO220
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SVG086R5NT datasheet
svg086r0nt svg086r0ns svg086r0nstr svg086r0ndtr svg086r0nl5tr.pdf
SVG086R0NT(S)(D)(L5) 120A 80V N 2 S D 1 8 SVG086R0NT(S)(D)(L5) N MOS S 2 7 D 1 LVMOS D S 3 6 G 4 5 D 3
Otros transistores... SVG083R4NT, SVG083R6NAL5, SVG085R9NT, SVG086R0NDTR, SVG086R0NL5TR, SVG086R0NS, SVG086R0NSTR, SVG086R0NT, STF13NM60N, SVG087R0NT, SVG094R1NKL, SVG094R1NS, SVG094R1NSTR, SVG094R1NT, SVG096R5NS, SVG096R5NKL, SVG096R5NT
History: CTM07N60 | CTLM8110-M832D
🌐 : EN ES РУ
Liste
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