SVG086R5NT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG086R5NT
Código: 086R5NT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 165 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 85 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 41 nC
Tiempo de subida (tr): 33 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 802 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0065 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVG086R5NT
SVG086R5NT Datasheet (PDF)
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History: SFG100N08PF
