SVG096R5NKL Todos los transistores

 

SVG096R5NKL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVG096R5NKL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 158 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 90 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
 

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SVG096R5NKL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:339K  silan
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SVG096R5NKL

SVG096R5NT(S)(KL) 120A90V N 2SVG096R5NT(S)(KL) N MOS 1 LVMOS 3

 9.1. Size:378K  silan
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SVG096R5NKL

SVG094R1NT(S)(KL) 120A90V N 2SVG094R1NT(S)(KL) N MOS LVMOS 1

Otros transistores... SVG086R0NT , SVG086R5NT , SVG087R0NT , SVG094R1NKL , SVG094R1NS , SVG094R1NSTR , SVG094R1NT , SVG096R5NS , IRF730 , SVG096R5NT , SVG10120NADTR , SVG10120NAT , SVG10120NSA , SVG103R0NKL , SVG103R0NP7 , SVG103R0NS , SVG103R0NS6TR .

History: 2SK3058 | PSMN018-100ESF | 10N65KG-TF2-T | 19N10G-TF1-T | ZXMN2A03E6 | SMIRF16N65T2TL | SQ4401DY

 

 
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