SVG096R5NKL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG096R5NKL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 158 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 90 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Paquete / Cubierta: TO262
Búsqueda de reemplazo de SVG096R5NKL MOSFET
SVG096R5NKL Datasheet (PDF)
svg096r5nt svg096r5ns svg096r5nkl.pdf

SVG096R5NT(S)(KL) 120A90V N 2SVG096R5NT(S)(KL) N MOS 1 LVMOS 3
svg094r1nt svg094r1ns svg094r1nstr svg094r1nkl.pdf

SVG094R1NT(S)(KL) 120A90V N 2SVG094R1NT(S)(KL) N MOS LVMOS 1
Otros transistores... SVG086R0NT , SVG086R5NT , SVG087R0NT , SVG094R1NKL , SVG094R1NS , SVG094R1NSTR , SVG094R1NT , SVG096R5NS , IRF730 , SVG096R5NT , SVG10120NADTR , SVG10120NAT , SVG10120NSA , SVG103R0NKL , SVG103R0NP7 , SVG103R0NS , SVG103R0NS6TR .
History: 2SK3058 | PSMN018-100ESF | 10N65KG-TF2-T | 19N10G-TF1-T | ZXMN2A03E6 | SMIRF16N65T2TL | SQ4401DY
History: 2SK3058 | PSMN018-100ESF | 10N65KG-TF2-T | 19N10G-TF1-T | ZXMN2A03E6 | SMIRF16N65T2TL | SQ4401DY



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sa794 | 2sa816 | 2sc897 datasheet | 2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor