SVG105R4NS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVG105R4NS 📄📄

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 76 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 652 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm

Encapsulados: TO263

📄📄 Copiar

Búsqueda de reemplazo de SVG105R4NS MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

SVG105R4NS datasheet

..1. Size:401K silan
svg105r4nt svg105r4ns svg105r4nstr svg105r4nkl.pdf pdf_icon

SVG105R4NT(S)(KL) 120A 100V N 2 SVG105R4NT(S)(KL) N MOS LVMOS 1

7.1. Size:320K silan
svg105r5nt.pdf pdf_icon

9.1. Size:276K 1
svg104r5nt svg104r5ns.pdf pdf_icon

Silan Microelectronics SVG104R5NT(S)_Datasheet 120A, 100V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVG104R5NT(S) is an N-channel enhancement mode power MOS 2 field effect transistor which is produced using Silan's LVMOS technology. The improved process and cell structure have been 1 especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior 3 switching performance. 1.Gate 2.

9.2. Size:312K silan
svg10120nsa.pdf pdf_icon