SVG108R5NAT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG108R5NAT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 94 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 408 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de SVG108R5NAT MOSFET
SVG108R5NAT Datasheet (PDF)
svg108r5nam svg108r5nat.pdf

SVG108R5NAM(T) 94A100V N 2SVG108R5NAM(T) N MOS LVMOS 1
svg108r5namq svg108r5namj.pdf

SVG108R5NAMQ(MJ) 94A100V N 2SVG108R5NAMQ(MJ) N MOS LVMOS 1
svg108r5nal5.pdf

SVG108R5NAL5 80A100V N S D1SVG108R5NAL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
Otros transistores... SVG105R4NSTR , SVG105R4NT , SVG105R5NT , SVG108R5NAD , SVG108R5NAL5 , SVG108R5NAM , SVG108R5NAMJ , SVG108R5NAMQ , IRFP460 , SVG15670ND , SVG15670NL5 , SVG15670NSA , SVGP02R58NL5 , SVGP03100NCS , SVGP066R1NL5 , SVGP069R5NSA , SVGP082R6NL5A .
History: RFP2N10L | 2SK3149 | BL9N90-F | G4N65 | AOW296 | 2SK3009 | OSG60R580AF
History: RFP2N10L | 2SK3149 | BL9N90-F | G4N65 | AOW296 | 2SK3009 | OSG60R580AF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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