SVG108R5NAT Todos los transistores

 

SVG108R5NAT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVG108R5NAT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 94 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 408 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de SVG108R5NAT MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SVG108R5NAT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:333K  silan
svg108r5nam svg108r5nat.pdf pdf_icon

SVG108R5NAT

SVG108R5NAM(T) 94A100V N 2SVG108R5NAM(T) N MOS LVMOS 1

 4.1. Size:317K  silan
svg108r5nad.pdf pdf_icon

SVG108R5NAT

SVG108R5NAD 94A100V N 2SVG108R5NAD N MOS LVMOS 1

 4.2. Size:347K  silan
svg108r5namq svg108r5namj.pdf pdf_icon

SVG108R5NAT

SVG108R5NAMQ(MJ) 94A100V N 2SVG108R5NAMQ(MJ) N MOS LVMOS 1

 4.3. Size:558K  silan
svg108r5nal5.pdf pdf_icon

SVG108R5NAT

SVG108R5NAL5 80A100V N S D1SVG108R5NAL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6

Otros transistores... SVG105R4NSTR , SVG105R4NT , SVG105R5NT , SVG108R5NAD , SVG108R5NAL5 , SVG108R5NAM , SVG108R5NAMJ , SVG108R5NAMQ , IRFP460 , SVG15670ND , SVG15670NL5 , SVG15670NSA , SVGP02R58NL5 , SVGP03100NCS , SVGP066R1NL5 , SVGP069R5NSA , SVGP082R6NL5A .

History: AP6680BGYT-HF | 7N60G-TF2-T | FJ4B0124 | ELM36402EA | DMG4466SSSL | P5010AS | AOK27S60

 

 
Back to Top

 


 
.