SVG108R5NAT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG108R5NAT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 94 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 408 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de SVG108R5NAT MOSFET
SVG108R5NAT Datasheet (PDF)
svg108r5nam svg108r5nat.pdf

SVG108R5NAM(T) 94A100V N 2SVG108R5NAM(T) N MOS LVMOS 1
svg108r5namq svg108r5namj.pdf

SVG108R5NAMQ(MJ) 94A100V N 2SVG108R5NAMQ(MJ) N MOS LVMOS 1
svg108r5nal5.pdf

SVG108R5NAL5 80A100V N S D1SVG108R5NAL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
Otros transistores... SVG105R4NSTR , SVG105R4NT , SVG105R5NT , SVG108R5NAD , SVG108R5NAL5 , SVG108R5NAM , SVG108R5NAMJ , SVG108R5NAMQ , IRFP460 , SVG15670ND , SVG15670NL5 , SVG15670NSA , SVGP02R58NL5 , SVGP03100NCS , SVGP066R1NL5 , SVGP069R5NSA , SVGP082R6NL5A .
History: HM4885 | WMM161N15T2 | SI5401DC | PSMN070-200B | IPD060N03LG | FDD5810-F085
History: HM4885 | WMM161N15T2 | SI5401DC | PSMN070-200B | IPD060N03LG | FDD5810-F085



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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