SVGP104R5NS Todos los transistores

 

SVGP104R5NS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVGP104R5NS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 864 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
     - Selección de transistores por parámetros

 

SVGP104R5NS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:326K  silan
svgp104r5nt svgp104r5ns svgp104r5nstr.pdf pdf_icon

SVGP104R5NS

SVGP104R5NT(S) 120A100V N 2SVGP104R5NT(S) N MOS LVMOS 1

 4.1. Size:359K  silan
svgp104r5nat svgp104r5nas svgp104r5nastr.pdf pdf_icon

SVGP104R5NS

SVGP104R5NAT(S) 120A100V N 2 SVGP104R5NAT(S) N MOS 1 LVMOS 3

 6.1. Size:557K  silan
svgp104r1nl5.pdf pdf_icon

SVGP104R5NS

SVGP104R1NL5 136A100V N SD18SVGP104R1NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6

 8.1. Size:488K  silan
svgp103r0nt svgp103r0np7.pdf pdf_icon

SVGP104R5NS

SVGP103R0NT(P7) 180A100V N SVGP103R0NT(P7) N MOS 2 LVMOS 1

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: NCE0250D | WSF20P03 | IPI80CN10NG

 

 
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