SVGP15161PL3A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVGP15161PL3A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 89 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN8-3.3X3.3
Búsqueda de reemplazo de SVGP15161PL3A MOSFET
SVGP15161PL3A Datasheet (PDF)
svgp15161pl3a.pdf

SVGP15161PL3A -9A-150V P SSVGP15161PL3A P MOS D18 LVMOS S D2 7 DS3 6
svgp15140nl5a.pdf

SVGP15140NL5A 100A150V N SVGP15140NL5A N MOS S D1 8 LVMOS S 7 D2 DS 3 6
svgp15110nl5.pdf

SVGP15110NL5 76A150V N SD18SVGP15110NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6
Otros transistores... SVGP104R5NASTR , SVGP104R5NAT , SVGP104R5NS , SVGP104R5NSTR , SVGP104R5NT , SVGP107R0NL5 , SVGP15110NL5 , SVGP15140NL5A , 12N60 , SVGP15751PL3 , SVGP157R2NS , SVGP157R5NP7 , SVGP157R5NT , SVGP159R3NL5ATR , SVGP159R3NL5TR , SVGP20110NP7 , SVGP20110NS .
History: HY1904D | BUK9610-100B | DMN3032LFDB | UF640G-T2Q-T | SVG108R5NAMQ | 7N65KL-TF2-T | RJK0456DPB
History: HY1904D | BUK9610-100B | DMN3032LFDB | UF640G-T2Q-T | SVG108R5NAMQ | 7N65KL-TF2-T | RJK0456DPB



Liste
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