SVGP159R3NL5ATR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVGP159R3NL5ATR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 87 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 91 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 710 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0093 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN8-5X6
Búsqueda de reemplazo de SVGP159R3NL5ATR MOSFET
SVGP159R3NL5ATR Datasheet (PDF)
svgp159r3nl5atr svgp159r3nl5tr.pdf
SVGP159R3NL5A(L5) 87A150V N S D18SVGP159R3NL5A(L5) N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6 G 4 5 D
svgp15140nl5a.pdf
SVGP15140NL5A 100A150V N SVGP15140NL5A N MOS S D1 8 LVMOS S 7 D2 DS 3 6
svgp15110nl5.pdf
SVGP15110NL5 76A150V N SD18SVGP15110NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6
Otros transistores... SVGP107R0NL5 , SVGP15110NL5 , SVGP15140NL5A , SVGP15161PL3A , SVGP15751PL3 , SVGP157R2NS , SVGP157R5NP7 , SVGP157R5NT , AO3401 , SVGP159R3NL5TR , SVGP20110NP7 , SVGP20110NS , SVGP20110NSTR , SVGP20110NT , SVGP20500NL5 , SVGQ041R3NL5V-2HSTR , SVGQ041R7NL5V-2HSTR .
History: VS3606AT | PJU7NA60 | NCEP0109AR
History: VS3606AT | PJU7NA60 | NCEP0109AR
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