SVGP159R3NL5ATR Datasheet. Equivalente

Número de Parte: SVGP159R3NL5ATR  📄📄 

Código: P159R3N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 87 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.6 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 40 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 91 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 710 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0093 Ohm

Encapsulados: DFN8-5X6