SVS11N65DD2TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SVS11N65DD2TR
   Código: 11N65DD2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 87 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 11 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 23 nC
   Tiempo de subida (tr): 35 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 37 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVS11N65DD2TR

SVS11N65DD2TR Datasheet (PDF)

..1. Size:447K silan
svs11n65dd2tr svs11n65fd2 svs11n65sd2 svs11n65sd2tr svs11n65fjd2.pdf

SVS11N65D(F)(S)(FJ)D2 11A650VMOS 2SVS11N65D(F)(S)(FJ)D2 N MOSFET MOS 11 3SVS11N65D(F)(S)(FJ)D2

6.1. Size:382K silan
svs11n65t svs11n65f svs11n65k svs11n65s svs11n65str.pdf

SVS11N65T/F/K/S 11A, 650V DP MOS 2 SVS11N65T/F/K/S N MOSFET 123 DP MOS 1TO-262-3L 3SVS11N65T/F/K/S /

6.2. Size:229K silan
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SVS11N65FJD2_Datasheet 11A, 650V DP MOS POWER TRANSISTOR DESCRIPTION SVS11N65FJD2 is an N-channel enhancement mode high voltage power MOSFETs produced using Silans DP MOS technology. It achieves low conduction loss and switching losses. It leads the design engineers to their power converters with high efficiency, high power density, and superior thermal behavior. Furthermore,

7.1. Size:493K silan
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