SVS11N65DD2TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVS11N65DD2TR
Código: 11N65DD2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 87 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 11 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 23 nC
Tiempo de subida (tr): 35 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 37 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVS11N65DD2TR
SVS11N65DD2TR Datasheet (PDF)
svs11n65dd2tr svs11n65fd2 svs11n65sd2 svs11n65sd2tr svs11n65fjd2.pdf
SVS11N65D(F)(S)(FJ)D2 11A650VMOS 2SVS11N65D(F)(S)(FJ)D2 N MOSFET MOS 11 3SVS11N65D(F)(S)(FJ)D2
svs11n65t svs11n65f svs11n65k svs11n65s svs11n65str.pdf
SVS11N65T/F/K/S 11A, 650V DP MOS 2 SVS11N65T/F/K/S N MOSFET 123 DP MOS 1TO-262-3L 3SVS11N65T/F/K/S /
svs11n65fjd2.pdf
SVS11N65FJD2_Datasheet 11A, 650V DP MOS POWER TRANSISTOR DESCRIPTION SVS11N65FJD2 is an N-channel enhancement mode high voltage power MOSFETs produced using Silans DP MOS technology. It achieves low conduction loss and switching losses. It leads the design engineers to their power converters with high efficiency, high power density, and superior thermal behavior. Furthermore,
svs11n60dd2tr svs11n60fd2 svs11n60sd2 svs11n60sd2tr svs11n60fjd2 svs11n60td2 svs11n60kd2.pdf
SVS11N60D/F/S/FJ/T/KD2 11A, 600V MOS 21SVS11N60D/F/S/FJ/T/KD2 N MOSFET 3TO-263-2L MOS 1 13 3SVS11N60D/F/S/FJ/T/KD2
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