SVS11N70DD2TR Todos los transistores

 

SVS11N70DD2TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVS11N70DD2TR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.42 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

SVS11N70DD2TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:430K  silan
 svs11n70fjhd2 svs11n70dd2tr svs11n70mjd2 svs11n70sd2 svs11n70fd2.pdf pdf_icon

SVS11N70DD2TR

SVS11N70FJH/D/MJ/S/FD2 11A, 700V MOS 2 SVS11N70FJH/D/MJ/S/FD2 N MOSFET 1 MOS 13 3TO-252-2LSVS11N70FJH/D/MJ/S/FD2

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 svs11n60dd2tr svs11n60fd2 svs11n60sd2 svs11n60sd2tr svs11n60fjd2 svs11n60td2 svs11n60kd2.pdf pdf_icon

SVS11N70DD2TR

SVS11N60D/F/S/FJ/T/KD2 11A, 600V MOS 21SVS11N60D/F/S/FJ/T/KD2 N MOSFET 3TO-263-2L MOS 1 13 3SVS11N60D/F/S/FJ/T/KD2

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 svs11n65dd2tr svs11n65fd2 svs11n65sd2 svs11n65sd2tr svs11n65fjd2.pdf pdf_icon

SVS11N70DD2TR

SVS11N65D(F)(S)(FJ)D2 11A650VMOS 2SVS11N65D(F)(S)(FJ)D2 N MOSFET MOS 11 3SVS11N65D(F)(S)(FJ)D2

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 svs11n65t svs11n65f svs11n65k svs11n65s svs11n65str.pdf pdf_icon

SVS11N70DD2TR

SVS11N65T/F/K/S 11A, 650V DP MOS 2 SVS11N65T/F/K/S N MOSFET 123 DP MOS 1TO-262-3L 3SVS11N65T/F/K/S /

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History: IPB60R190C6 | FCH20N60 | VBZE50P03

 

 
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