SVS14N60TD2 Todos los transistores

 

SVS14N60TD2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVS14N60TD2
   Código: 14N60TD2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 120 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 14 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 28 nC
   Tiempo de subida (tr): 48 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 48 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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SVS14N60TD2 Datasheet (PDF)

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SVS14N60TD2
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SVS14N60F(FJ)(T)D2 14A, 600V MOS 2 SVS14N60F(FJ)(T)D2 N MOSFET 1 MOS 3SVS14N60F(FJ)(T)D2 /

 7.1. Size:376K  silan
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SVS14N60TD2
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SVS14N65FJ(F)(T)(S)D2 14A, 650V MOS 21SVS14N65FJ/F/T/SD2 N MOSFET 31TO-263-2L MOS 31. 2. 3.SVS14N65FJ/

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