SVS14N60TD2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVS14N60TD2
Código: 14N60TD2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 28 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVS14N60TD2
SVS14N60TD2 Datasheet (PDF)
svs14n60td2 svs14n60fjd2 svs14n60fd2.pdf
SVS14N60F(FJ)(T)D2 14A, 600V MOS 2 SVS14N60F(FJ)(T)D2 N MOSFET 1 MOS 3SVS14N60F(FJ)(T)D2 /
svs14n65fjd2 svs14n65fd2 svs14n65td2 svs14n65sd2 svs14n65sd2tr.pdf
SVS14N65FJ(F)(T)(S)D2 14A, 650V MOS 21SVS14N65FJ/F/T/SD2 N MOSFET 31TO-263-2L MOS 31. 2. 3.SVS14N65FJ/
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918