SVS14N65FJD2 Todos los transistores

 

SVS14N65FJD2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVS14N65FJD2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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SVS14N65FJD2 Datasheet (PDF)

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SVS14N65FJD2

SVS14N65FJ(F)(T)(S)D2 14A, 650V MOS 21SVS14N65FJ/F/T/SD2 N MOSFET 31TO-263-2L MOS 31. 2. 3.SVS14N65FJ/

 7.1. Size:358K  silan
 svs14n60td2 svs14n60fjd2 svs14n60fd2.pdf pdf_icon

SVS14N65FJD2

SVS14N60F(FJ)(T)D2 14A, 600V MOS 2 SVS14N60F(FJ)(T)D2 N MOSFET 1 MOS 3SVS14N60F(FJ)(T)D2 /

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History: IXKC19N60C5 | QM2504W

 

 
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