SVS5N65FJHD2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SVS5N65FJHD2
   Código: 5N65FJHD2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.96 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVS5N65FJHD2

SVS5N65FJHD2 Datasheet (PDF)

..1. Size:453K silan
svs5n65fd2 svs5n65dd2tr svs5n65fjhd2.pdf

SVS5N65F(D)(FJH)D2 5A, 650V MOS 2SVS5N65F(D)(FJH)D2 N MOSFET MOS 1 1233TO-220FJH-3LSVS5N65F(D)(FJH)D2

9.1. Size:465K silan
svs5n70dtr svs5n70mj svs5n70mn svs5n70f svs5n70mu.pdf

SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU) 5A700VMOS 2SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU) N MOSFET MOS 11 233SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU)

9.2. Size:481K silan
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SVS5N70D/MJ/MN/F/MU_Datasheet 5A, 700V DP MOS POWER TRANSISTOR DESCRIPTION SVS5N70D/MJ/MN/F/MU is an N-channel enhancement mode high voltage power MOSFETs produced using Silans DP MOS technology. It achieves low conduction loss and switching losses. It leads the design engineers to their power converters with high efficiency, high power density, and superior thermal behavior.

9.3. Size:414K silan
svs5n70fd2 svs5n70dd2tr svs5n70mjd2 svs5n70kd2.pdf