SVS5N70FD2 Todos los transistores

 

SVS5N70FD2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVS5N70FD2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

SVS5N70FD2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:414K  silan
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SVS5N70FD2

SVS5N70F(D)(MJ)(K)D2 5A700V MOS 2 123SVS5N70F(D)(MJ)(K)D2 N MOSFET TO-251J-3L1 MOS 3SVS5N70F(D)(MJ)(K)D2

 6.1. Size:465K  silan
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SVS5N70FD2

SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU) 5A700VMOS 2SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU) N MOSFET MOS 11 233SVS5N70D(MJ)(MN)(F)(MU)

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SVS5N70FD2

SVS5N70D/MJ/MN/F/MU_Datasheet 5A, 700V DP MOS POWER TRANSISTOR DESCRIPTION SVS5N70D/MJ/MN/F/MU is an N-channel enhancement mode high voltage power MOSFETs produced using Silans DP MOS technology. It achieves low conduction loss and switching losses. It leads the design engineers to their power converters with high efficiency, high power density, and superior thermal behavior.

 9.1. Size:453K  silan
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SVS5N70FD2

SVS5N65F(D)(FJH)D2 5A, 650V MOS 2SVS5N65F(D)(FJH)D2 N MOSFET MOS 1 1233TO-220FJH-3LSVS5N65F(D)(FJH)D2

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History: SFF440C | CP650 | WM02N08L | SWF2N70D | HGN035N08AL

 

 
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