SVS60R360L8AE3TR Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVS60R360L8AE3TR  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm

Encapsulados: DFN4-8X8

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SVS60R360L8AE3TR datasheet

 0.1. Size:537K  silan
 svs60r360fjhe3 svs60r360fjde3 svs60r360de3tr svs60r360l8ae3tr.pdf pdf_icon

SVS60R360L8AE3TR

SVS60R360FJH(FJD)(D)(L8A)E3 11A 600V MOS 2 SVS60R360FJH(FJD)(D)(L8A)E3 N MOSFET MOS 1 SVS60R360FJH(FJD)(D)(L8A)E3

 8.1. Size:727K  silan
 svs60r190fjdd4 svs60r190fd4 svs60r190dd4tr svs60r190l8ad4tr svs60r190td4 svs60r190sd4 svs60r190sd4tr svs60r190kd4.pdf pdf_icon

SVS60R360L8AE3TR

SVS60R190FJD(F)(D)(L8A)(T)(S)(K)(P7)(PN)D4 20A, 600V MOS 2 SVS60R190FJD(F)(D)(L8A)(T)(S)(K)(P7)(PN)D4 N 12 3 1 TO-220FJD-3L MOSFET MOS 3 1

Otros transistores... SVS60R190KD4, SVS60R190L8AD4TR, SVS60R190SD4, SVS60R190SD4TR, SVS60R190TD4, SVS60R360DE3TR, SVS60R360FJDE3, SVS60R360FJHE3, IRF730, SVS65R240DD4TR, SVS65R240FD4, SVS65R240FJDD4, SVS65R240L8AD4TR, SVS65R240TD4, SVS65R280DD4TR, SVS65R280FD4, SVS65R280FJDD4