FDP26N40 Todos los transistores

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FDP26N40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDP26N40

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 265 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 400 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Corriente continua de drenaje (Id): 26 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.16 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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FDP26N40 Datasheet (PDF)

1.1. fdp26n40 fdpf26n40.pdf Size:567K _fairchild_semi

FDP26N40
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February 2008 UniFETTM FDP26N40 / FDPF26N40 tm N-Channel MOSFET 400V, 26A, 0.16? Features Description RDS(on) = 0.13? ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 13A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 48nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 30pF) This advanced technology has been especia

5.1. fdp2614.pdf Size:353K _fairchild_semi

FDP26N40
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November 2007 tm FDP2614 200V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Description This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semicon- 62A, 200V, RDS(on) = 22.9m? @VGS = 10 V ductors advanced PowerTrench process that has been espe- Fast switching speed cially tailored to minimize the on-state resistance and yet Low gate charge maintain superior switching performance.

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