SVS65R240FJDD4 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVS65R240FJDD4  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm

Encapsulados: TO220F

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de SVS65R240FJDD4 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SVS65R240FJDD4 datasheet

 ..1. Size:627K  silan
 svs65r240fjdd4 svs65r240dd4tr svs65r240l8ad4tr svs65r240td4 svs65r240fd4.pdf pdf_icon

SVS65R240FJDD4

SVS65R240FJD(F)(D)(L8A)(T)D4 20A, 650V MOS 2 SVS65R240FJD(F)(D)(L8A)(T)D4 N 1 MOSFET MOS 12 3 TO-220FJD-3L 3 SVS65R240FJD(F)

 7.1. Size:627K  silan
 svs65r280fjdd4 svs65r280dd4tr svs65r280fd4 svs65r280td4 svs65r280sd4 svs65r280sd4tr.pdf pdf_icon

SVS65R240FJDD4

SVS65R280FJD(F)(D)(T)(S)D4 14A, 650V MOS 2 SVS65R280FJD(F)(D)(T)(S)D4 N MOSFET MOS 1 12 3 SVS65R280FJD(F)(D)(T)(S)D4

 8.1. Size:651K  silan
 svs65r380fjd4 svs65r380fjdd4 svs65r380fd4 svs65r380dd4tr.pdf pdf_icon

SVS65R240FJDD4

SVS65R380FJ(FJD)(F)(D)D4 11A, 650V MOS 2 SVS65R380FJ(FJD)(F)(D)D4 N MOSFET MOS 1 SVS65R380FJ(FJD)(F)(D)D4

 8.2. Size:538K  silan
 svs65r400de3tr svs65r400fjhe3 svs65r400fjde3 svs65r400l8ae3tr.pdf pdf_icon

SVS65R240FJDD4

SVS65R400D(FJH)(FJD)(L8A)E3 11A, 650V MOS 2 SVS65R400D(FJH)(FJD)(L8A)E3 N MOSFET MOS 1 SVS65R400D(FJH)(FJD)(L8A)E3

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SVS60R190SD4TR, SVS60R190TD4, SVS60R360DE3TR, SVS60R360FJDE3, SVS60R360FJHE3, SVS60R360L8AE3TR, SVS65R240DD4TR, SVS65R240FD4, IRF740, SVS65R240L8AD4TR, SVS65R240TD4, SVS65R280DD4TR, SVS65R280FD4, SVS65R280FJDD4, SVS65R280SD4, SVS65R280SD4TR, SVS65R280TD4