SVS65R240L8AD4TR Todos los transistores

 

SVS65R240L8AD4TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVS65R240L8AD4TR
   Código: 65R240D4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 139 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 31 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN4-8X8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVS65R240L8AD4TR

 

SVS65R240L8AD4TR Datasheet (PDF)

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SVS65R240L8AD4TR
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SVS65R240FJD(F)(D)(L8A)(T)D4 20A, 650V MOS 2 SVS65R240FJD(F)(D)(L8A)(T)D4 N 1MOSFET MOS 123TO-220FJD-3L 3SVS65R240FJD(F)

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svs65r280fjdd4 svs65r280dd4tr svs65r280fd4 svs65r280td4 svs65r280sd4 svs65r280sd4tr.pdf

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SVS65R280FJD(F)(D)(T)(S)D4 14A, 650V MOS 2SVS65R280FJD(F)(D)(T)(S)D4 N MOSFET MOS 1 123SVS65R280FJD(F)(D)(T)(S)D4

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SVS65R240L8AD4TR
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SVS65R380FJ(FJD)(F)(D)D4 11A, 650V MOS 2SVS65R380FJ(FJD)(F)(D)D4 N MOSFET MOS 1 SVS65R380FJ(FJD)(F)(D)D4

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SVS65R400D(FJH)(FJD)(L8A)E3 11A, 650V MOS 2SVS65R400D(FJH)(FJD)(L8A)E3 N MOSFET MOS 1 SVS65R400D(FJH)(FJD)(L8A)E3

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