SVS65R240TD4 Todos los transistores

 

SVS65R240TD4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVS65R240TD4
   Código: 65R240TD4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 139 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 31 nC
   Tiempo de subida (tr): 54 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 51 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.24 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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SVS65R240TD4 Datasheet (PDF)

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SVS65R240TD4
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SVS65R240FJD(F)(D)(L8A)(T)D4 20A, 650V MOS 2 SVS65R240FJD(F)(D)(L8A)(T)D4 N 1MOSFET MOS 123TO-220FJD-3L 3SVS65R240FJD(F)

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SVS65R240TD4
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SVS65R280FJD(F)(D)(T)(S)D4 14A, 650V MOS 2SVS65R280FJD(F)(D)(T)(S)D4 N MOSFET MOS 1 123SVS65R280FJD(F)(D)(T)(S)D4

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SVS65R240TD4
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SVS65R380FJ(FJD)(F)(D)D4 11A, 650V MOS 2SVS65R380FJ(FJD)(F)(D)D4 N MOSFET MOS 1 SVS65R380FJ(FJD)(F)(D)D4

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SVS65R240TD4
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SVS65R400D(FJH)(FJD)(L8A)E3 11A, 650V MOS 2SVS65R400D(FJH)(FJD)(L8A)E3 N MOSFET MOS 1 SVS65R400D(FJH)(FJD)(L8A)E3

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