SVS65R280SD4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVS65R280SD4
Código: 65R280SD4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 133 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 14 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 26 nC
Tiempo de subida (tr): 44 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 41 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.28 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVS65R280SD4
SVS65R280SD4 Datasheet (PDF)
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SVS65R280FJD(F)(D)(T)(S)D4 14A, 650V MOS 2SVS65R280FJD(F)(D)(T)(S)D4 N MOSFET MOS 1 123SVS65R280FJD(F)(D)(T)(S)D4
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SVS65R240FJD(F)(D)(L8A)(T)D4 20A, 650V MOS 2 SVS65R240FJD(F)(D)(L8A)(T)D4 N 1MOSFET MOS 123TO-220FJD-3L 3SVS65R240FJD(F)
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SVS65R380FJ(FJD)(F)(D)D4 11A, 650V MOS 2SVS65R380FJ(FJD)(F)(D)D4 N MOSFET MOS 1 SVS65R380FJ(FJD)(F)(D)D4
svs65r400de3tr svs65r400fjhe3 svs65r400fjde3 svs65r400l8ae3tr.pdf
SVS65R400D(FJH)(FJD)(L8A)E3 11A, 650V MOS 2SVS65R400D(FJH)(FJD)(L8A)E3 N MOSFET MOS 1 SVS65R400D(FJH)(FJD)(L8A)E3
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History: NCE70T260D
