SVS7N70DD2TR Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVS7N70DD2TR  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO252

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SVS7N70DD2TR datasheet

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 svs7n70fd2 svs7n70dd2tr svs7n70mjd2 svs7n70sd2.pdf pdf_icon

SVS7N70DD2TR

SVS7N70F(D)(MJ)(S)D2 7A, 700V MOS 2 SVS7N70F(D)(MJ)(S)D2 N MOSFET 1 MOS 3 1. 2. 3. SVS7N70F(D)(MJ)(S

 6.1. Size:403K  silan
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SVS7N70DD2TR

SVS7N70D 7A, 700V DP MOS SVS7N70D N MOSFET DP MOS SVS7N70D / 7A,700V, RDS(on)( )=0.52 @VGS=10V

 9.1. Size:393K  silan
 svs7n65dd2tr svs7n65fd2 svs7n65mjd2 svs7n65fjd2 svs7n65sd2 svs7n65sd2tr.pdf pdf_icon

SVS7N70DD2TR

SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)(S)D2 7A, 650V MOS 2 SVS7N65D(F)(MJ)(FJ)(S)D2 N MOSFET 1 2 1 3 MOS TO-220F-3L 3 SVS7N65D(F)(MJ)(

 9.2. Size:638K  silan
 svs7n60fjd2 svs7n60dd2tr svs7n60fd2.pdf pdf_icon

SVS7N70DD2TR

SVS7N60F(FJ)(D)D2 7A, 600V DP MOS SVS7N60F(FJ)(D)D2 N MOSFET DP MOS SVS7N60F(FJ)(D)D2 / 7A,600

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