SVS80R800FE3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVS80R800FE3 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
Encapsulados: TO220F
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SVS80R800FE3 datasheet
svs80r430fe3 svs80r430fjhe3 svs80r430de3tr svs80r430fjde3 svs80r430l8ae3tr.pdf
SVS80R430F(FJH)(D)(FJD)(L8A)E3 12A 800V MOS 2 SVS80R430F(FJH)(D)(FJD)(L8A)E3 N 1 MOSFET MOS 1 2 3 TO-220FJH-3L SVS80R430F(F
Otros transistores... SVS80R280SE3, SVS80R280SE3TR, SVS80R430DE3TR, SVS80R430FE3, SVS80R430FJDE3, SVS80R430FJHE3, SVS80R430L8AE3TR, SVS80R800DE3TR, IRF520, SVS80R800FJHE3, SVS80R900DE3TR, SVS80R900FE3, SVS80R900FJDE3, SVSP11N60DD2TR, SVSP11N60FD2, SVSP11N60FJD2, SVSP11N60FJDD2
History: DSE050N14N
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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