SVSP11N70DD2TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SVSP11N70DD2TR
   Código: P11N70D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.42 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVSP11N70DD2TR

SVSP11N70DD2TR Datasheet (PDF)

..1. Size:468K silan
svsp11n70fd2 svsp11n70fjhd2 svsp11n70dd2tr svsp11n70mjd2 svsp11n70sd2.pdf

SVSP11N70F/FJH/D/MJ/SD2 11A, 700V MOS 2 SVSP11N70F/FJH/D/MJ/SD2 N MOSFET11 MOS 3TO-252-2L 3SVSP11N70F/FJH/D/MJ/SD2

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SVSP11N60FJ(D)D2 11A, 600V DP MOS 2SVSP11N60FJ(D)D2 N MOSFET DP MOS 1 3 SVSP11N60FJ(D)D2 /

7.2. Size:480K silan
svsp11n65dd2tra svsp11n65fd2 svsp11n65sd2 svsp11n65sd2tr svsp11n65fjdd2 svsp11n65kd2 svsp11n65td2.pdf

SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2 11A, 650V MOS 2 1SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2 N MOSFET31TO-263-2L MOS 3 1. 2. 3.S

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SVSP11N65AFJHD2 11A650V MOS 2 SVSP11N65AFJHD2 N MOSFET 1 MOS 3 SVSP11N65AFJHD2 /

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SVSP11N65FJHD2 11A, 650V MOS 2 SVSP11N65FJHD2 N MOSFET 1 MOS 3SVSP11N65FJHD2 /1.

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SVSP11N60D(F)(S)(FJD)(T)(K)D2 11A, 600V MOS 2SVSP11N60D(F)(S)(FJD)(T)(K)D2 N 131MOSFET MOS TO-263-2L31 31. 2. 3.

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

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