SVSP24N60TD2 Todos los transistores

 

SVSP24N60TD2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVSP24N60TD2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 74 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 84 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

SVSP24N60TD2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:377K  silan
 svsp24n60fjdd2 svsp24n60td2.pdf pdf_icon

SVSP24N60TD2

SVSP24N60FJD(T)D2 24A600V MOS 2SVSP24N60FJD(T)D2 N MOSFET 1 MOS 3. 1. 2. 3.SVSP24N60FJD(T)D2

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SVSP24N60TD2

SVSP24NF60FJDD2 24A, 600V MOS 2SVSP24NF60FJDD2 N MOSFET MOS 1 3SVSP24NF60FJD2 /

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 svsp20n60fjdd2 svsp20n60kd2 svsp20n60td2 svsp20n60pnd2 svsp20n60sd2 svsp20n60sd2tr svsp20n60p7d2.pdf pdf_icon

SVSP24N60TD2

SVSP20N60FJD(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 20A600V MOS 2 123SVSP20N60FJD(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 N 1TO-262-3LMOSFET MOS 3131. 2. 3.

 9.2. Size:373K  silan
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SVSP24N60TD2

SVSP20NF60TD2 20A600V MOS 2SVSP20NF60TD2 N MOSFET MOS 1 3SVSP20NF60TD2 / 1.

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History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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