SVSP7N70FD2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVSP7N70FD2
Código: P7N70FD2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVSP7N70FD2
SVSP7N70FD2 Datasheet (PDF)
svsp7n70fd2 svsp7n70dd2tr svsp7n70sd2 svsp7n70sd2tr svsp7n70fjdd2.pdf
SVSP7N70F(D)(S)(FJD)D2 7A, 700V MOS 2 SVSP7N70F(D)(S)(FJD)D2 N MOSFET 1 MOS 3SVSP7N70F(D)(S)(FJD)D2
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: RU3091M
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