SVSP7N70SD2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVSP7N70SD2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de SVSP7N70SD2 MOSFET
SVSP7N70SD2 Datasheet (PDF)
svsp7n70fd2 svsp7n70dd2tr svsp7n70sd2 svsp7n70sd2tr svsp7n70fjdd2.pdf
SVSP7N70F(D)(S)(FJD)D2 7A, 700V MOS 2 SVSP7N70F(D)(S)(FJD)D2 N MOSFET 1 MOS 3SVSP7N70F(D)(S)(FJD)D2
Otros transistores... SVSP65R110LHD4TR , SVSP65R110P7HD4 , SVSP65R110SHD4 , SVSP65R110SHD4TR , SVSP65R110THD4 , SVSP7N70DD2TR , SVSP7N70FD2 , SVSP7N70FJDD2 , IRF1010E , SVSP7N70SD2TR , SVSP80R180FJDE3 , SVSP80R180P7E3 , SVSP80R180SE3 , SVSP80R180SE3TR , SVT03100ND , SVT03100NL3 , SVT03110PL3 .
History: WSR80N08 | CS5Y9540CM | GT55N06 | HFD2N60S | BUK9Y58-75B | SVSP80R180SE3 | SVSP65R110SHD4TR
History: WSR80N08 | CS5Y9540CM | GT55N06 | HFD2N60S | BUK9Y58-75B | SVSP80R180SE3 | SVSP65R110SHD4TR
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SLI13N50C | SLH95R130GTZ | SLH65R180E7C | SLH60R075GTDI | SLH60R043E7D | SLH10RN20T | SLF95R760GTZ | SLF16N65S | SLF12N65SV | SLF10N65SV | SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD
Popular searches
irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458 | a733 transistor