SVT033R5NAT Todos los transistores

 

SVT033R5NAT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVT033R5NAT
   Código: 033R5NAT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 171.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 114 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1011 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220HW
 

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SVT033R5NAT Datasheet (PDF)

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SVT033R5NAT

SVT033R5NAT 180A30V N 2SVT033R5NAT N MOS LVMOS 1

 5.1. Size:344K  silan
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SVT033R5NAT

SVT033R5NT 180A30V N 2SVT033R5NT N MOS LVMOS 1

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SVT033R5NAT

SVT03380PSA -6.5A-30V P 5 6 7 8 4. SVT03380PSA P MOS 123. 5678. LVMOS 4

 9.1. Size:436K  silan
 svt037r0nl3.pdf pdf_icon

SVT033R5NAT

SVT037R0NL3 58A30V N SVT037R0NL3 N MOS S D1 8LVMOS S 7 D2 DS 3 6

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