SVT035R5NT Todos los transistores

 

SVT035R5NT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVT035R5NT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 88 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 268 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SVT035R5NT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:435K  silan
 svt035r5ndtr svt035r5nmj svt035r5nt.pdf pdf_icon

SVT035R5NT

SVT035R5ND(MJ)(T) 100A30V N 2SVT035R5ND(MJ)(T) N MOS LVMOS 1 1233

 5.1. Size:322K  silan
 svt035r5nsa.pdf pdf_icon

SVT035R5NT

SVT035R5NSA 21A30V N 5 6 7 8 4. SVT035R5NSA N MOS 123. LVMOS 5678.

 5.2. Size:345K  silan
 svt035r5nl5.pdf pdf_icon

SVT035R5NT

SVT035R5NL5 100A30V N S DSVT035R5NL5 N MOS 1 8SLVMOS 2 7 DD S 3 6

 9.1. Size:436K  silan
 svt037r0nl3.pdf pdf_icon

SVT035R5NT

SVT037R0NL3 58A30V N SVT037R0NL3 N MOS S D1 8LVMOS S 7 D2 DS 3 6

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History: SWD7N60D

 

 
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