SVT04230NR Todos los transistores

 

SVT04230NR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVT04230NR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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SVT04230NR Datasheet (PDF)

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SVT04230NR

SVT04230NR 7A40V N 2SVT04230NR N MOS LVMOS 1

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SVT04230NR

SVT042R5NL5(T) 240A40V N 2S D1 8SVT042R5NL5(T) N MOS S 7 D2 LVMOS 1DS 3 6 G 4 5 D

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SVT04230NR

SVT043R0NT/L5 180A40V N 2S D1 8SVT043R0NT/L5 N MOS S 7 D2 LVMOS 1DS 3 6 G 4 5 D

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SVT04230NR

SVT044R5NT/D/L5_Datasheet 178A, 40V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVT044R5NT/D/L5 an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using SILAN LVMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. This device is widely used in UPS, Power Mana

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History: WMB90N02TS | SML20T75 | ME8029-G | SPC10N65G | TK560A65Y | IXFN21N100Q | IRLMS1902PBF

 

 
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