SVT085R5NS Todos los transistores

 

SVT085R5NS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVT085R5NS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 669 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
     - Selección de transistores por parámetros

 

SVT085R5NS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:374K  silan
svt085r5nt svt085r5ns svt085r5nstr svt085r5nl5tr svt085r5nkl.pdf pdf_icon

SVT085R5NS

SVT085R5NT(S)(L5)(KL) 120A85V N 2 S D1 8SVT085R5NT/S/L5/KL N MOS S 2 7 D1DS 3 6 LVMOS G 4 5 D 3

 9.1. Size:486K  silan
svt088r0nt.pdf pdf_icon

SVT085R5NS

SVT088R0NT 95A75V N 2SVT088R0NT N MOS LVMOS 1 3

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: CS24N50ANHD | PMBFJ112 | FDS6892A | VN1210N5 | NTLJS4159NT1G | JCS7N60SB | WFW40N25W

 

 
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