SVT10500PD Todos los transistores

 

SVT10500PD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVT10500PD
   Código: 10500PD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 104 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 80 nC
   Tiempo de subida (tr): 41 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 233 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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SVT10500PD Datasheet (PDF)

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SVT10500PD SVT10500PD

SVT10500PD -30A-100V P 2SVT10500PD P MOS LVMOS 1

 9.1. Size:383K  silan
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SVT10500PD SVT10500PD

SVT10111ND 14A100V N 2SVT10111ND N MOS LVMOS 1

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