SVT10500PD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVT10500PD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 233 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de SVT10500PD MOSFET
SVT10500PD Datasheet (PDF)
Otros transistores... SVT068R5NT , SVT078R0NS , SVT078R0NT , SVT085R5NKL , SVT085R5NL5TR , SVT085R5NS , SVT085R5NT , SVT10111ND , K2611 , SVT1104SA , SVT20240NP7 , SVT20240NS , SVT20240NT , SVT25600NF , SVT25600NT , SVT3025D4 , SVT4607SA .
History: SFG08S10BF | IRFY9130CM | OSG60R020HT3F | WML22N50C4 | IRFY420C | WMQ25P06TS | AOD66923
History: SFG08S10BF | IRFY9130CM | OSG60R020HT3F | WML22N50C4 | IRFY420C | WMQ25P06TS | AOD66923



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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