WM02DN08D Todos los transistores

 

WM02DN08D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WM02DN08D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: SOT363

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WM02DN08D datasheet

 ..1. Size:595K  way-on
 wm02dn08d.pdf pdf_icon

WM02DN08D

WM02DN08D Dual N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS D R

 6.1. Size:459K  way-on
 wm02dn08t.pdf pdf_icon

WM02DN08D

Document W0803109, Rev C WM02DN08T T Dual N-Channel MOSFET Features V = 20 V, I = 0.75 A DS D R

 6.2. Size:336K  way-on
 wm02dn085c.pdf pdf_icon

WM02DN08D

Document W0803219, Rev D WM02DN085C Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description V (V) I (A) R TYP (m ) (BR)DSS D DS(on) WM02DN085C uses advanced power trench 8.2 @VGS=4.5V technology that has been especially tailored to 8.5 @VGS=4.0V minimize the on-state resistance This device is 20 8.5 8.8 @VGS=3.7V suitable for un-directional or bidirectional load 9.5 @V

 6.3. Size:384K  way-on
 wm02dn080c.pdf pdf_icon

WM02DN08D

WM02DN080C Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description V (V) I (A) R TYP (m ) (BR)DSS D DS(on) WM02DN080C-YW uses advanced power trench 13.0 @VGS=4.5V technology that has been especially tailored to 13.5 @VGS=4.0V minimize the on-state resistance This device is 20 8 14.0 @VGS=3.7V suitable for un-directional or bidirectional load 15.0 @VGS=3.1V switch, facilit

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History: ITF86116SQT | WM02DN50M3 | ITF86110DK8T | WM02DN560Q | VN0300 | WM02DN08T | BLM3407

 

 

 

 

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