WM02DN08D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WM02DN08D
   Código: 02K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT363

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WM02DN08D

WM02DN08D Datasheet (PDF)

..1. Size:595K way-on
wm02dn08d.pdf

WM02DN08D Dual N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 20V, I = 0.75A DS DR

6.1. Size:459K way-on
wm02dn08t.pdf

Document: W0803109, Rev: C WM02DN08T T Dual N-Channel MOSFET Features V = 20 V, I = 0.75 A DS DR

6.2. Size:336K way-on
wm02dn085c.pdf

Document: W0803219, Rev: D WM02DN085C Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description V (V) I (A) R TYP (m) (BR)DSS D DS(on)WM02DN085C uses advanced power trench 8.2 @VGS=4.5V technology that has been especially tailored to 8.5 @VGS=4.0V minimize the on-state resistance This device is 20 8.5 8.8 @VGS=3.7V suitable for un-directional or bidirectional load 9.5 @V

6.3. Size:384K way-on
wm02dn080c.pdf

WM02DN080C Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description V (V) I (A) R TYP (m) (BR)DSS D DS(on)WM02DN080C-YW uses advanced power trench 13.0 @VGS=4.5V technology that has been especially tailored to 13.5 @VGS=4.0V minimize the on-state resistance This device is 20 8 14.0 @VGS=3.7V suitable for un-directional or bidirectional load 15.0 @VGS=3.1V switch, facilit

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Liste

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